Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх

Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2015
Автори: Гниленко, А.Б., Лаврич, Ю.Н., Плаксин, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100562
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-100562
record_format dspace
spelling irk-123456789-1005622016-05-24T03:02:09Z Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх Гниленко, А.Б. Лаврич, Ю.Н. Плаксин, С.В. Энергетическая электроника Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада позволяет существенно повысить коэффициент полезного действия кремниевых фотоэлектрических преобразователей. Проведено комп'ютерне моделювання тандемного монолітного сонячного елемента Si/Ge з буферним шаром Si1–хGeх, одержано вольт-амперні характеристики, розраховано фотовольтаїчні параметри і знайдено розподіл основних фізичних величин. Показано, що додатковий германієвий каскад дозволяє суттєво підвищити коефіцієнт корисної дії кремнієвих фотоелектричних перетворювачів. Excitation of bulk and surface acoustic waves with the interdigital transducer (IDT), which is deposited on the surface of piezoelectric crystal, is widely used in the development of devices in acoustoelectronics and in the design of the microwave acousto-optic deflectors. Excitation of bulk acoustic waves by IDT in the devices on surface acoustic waves leads to the appearance of spurious signals. At the same time excitation of bulk acoustic waves with IDT from the surface of lithium niobate crystals allows creating high frequency acousto-optic deflectors, which makes possible to significantly simplify the technology of their production. Therefore, significant attention is paid to the task of excitation and distribution of bulk acoustic waves with IDT including recent times by the method of simulation of their excitation and distribution. The obtained theoretical results require experimental verification. 2015 Article Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.5-6.28 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100562 621.383.51 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Энергетическая электроника
Энергетическая электроника
spellingShingle Энергетическая электроника
Энергетическая электроника
Гниленко, А.Б.
Лаврич, Ю.Н.
Плаксин, С.В.
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада позволяет существенно повысить коэффициент полезного действия кремниевых фотоэлектрических преобразователей.
format Article
author Гниленко, А.Б.
Лаврич, Ю.Н.
Плаксин, С.В.
author_facet Гниленко, А.Б.
Лаврич, Ю.Н.
Плаксин, С.В.
author_sort Гниленко, А.Б.
title Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
title_short Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
title_full Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
title_fullStr Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
title_full_unstemmed Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
title_sort моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента si/ge с буферным слоем si1–хgeх
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2015
topic_facet Энергетическая электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100562
citation_txt Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT gnilenkoab modelirovanieharakteristiktandemnogomonolitnogosolnečnogoélementasigesbufernymsloemsi1hgeh
AT lavričûn modelirovanieharakteristiktandemnogomonolitnogosolnečnogoélementasigesbufernymsloemsi1hgeh
AT plaksinsv modelirovanieharakteristiktandemnogomonolitnogosolnečnogoélementasigesbufernymsloemsi1hgeh
first_indexed 2024-03-30T08:50:23Z
last_indexed 2024-03-30T08:50:23Z
_version_ 1796148683938463744