Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe

• Дата: 2015
• Автори: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Кудринский, З.Р., Кушнир, Б.В., Нетяга, В.В., Хомяк, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100566
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO—p-InSe.