Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe

Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Кудринский, З.Р., Кушнир, Б.В., Нетяга, В.В., Хомяк, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100566
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-100566
record_format dspace
spelling irk-123456789-1005662016-05-24T03:02:14Z Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Кудринский, З.Р. Кушнир, Б.В. Нетяга, В.В. Хомяк, В.В. Материалы электроники Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO—p-InSe. Методом високочастотного магнетронного напилення була сформована тонка оксидна плівка ZnO на ван-дер-ваальсовій поверхні моноселеніда індію. Досліджено вплив вакуумного низькотемпературного відпалу на електричні та фотоелектричні характеристики гетеропереходу n-ZnO—p-InSe. Наведено температурні залежності ВАХ гетеропереходу до і після відпалу. Встановлена область спектральної фоточутливості гетероструктури n-ZnO—p-InSe. The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure.Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A³B⁶ group of layered compounds. The basic unit consists of two planes of metal atoms sandwiched between two planes of chalcogen atoms (Se-In-In-Se). The absence of dangling bonds on InSe cleaved surface makes it possible to use this semiconductor as a substrate for fabrication of heterostructures based on semiconductor materials with different symmetries and lattice spacings. Zinc oxide (ZnO) is the most suitable material for window materials and solar cells buffer layers application due to its marvelous transparency in the range of visible region.InSe single crystals were grown by the Bridgman technique from a nonstoichiometric melt and characterized by a pronounced layered structure along the whole length of a sample. ZnO thin oxide film was formed on freshly cleaved van der Waals surface of InSe layered crystal. n-ZnO-p-InSe heterostructure was prepared by the method of high-frequency magnetron sputtering. Sensitivity spectral areas were identified by MDR-3 monochromator with a resolution of 2.6 nm/mm. The current-voltage characteristics of the n-ZnO-p-InSe heterostructures showed a clearly pronounced diode character. In the forward bias of the initial samples, the diode factor had the value 3.7 at room temperature. It is shown that vacuum low-temperature annealing reduces shunt currents of the heterojunction, which is reflected in the decrease in the values of n from 3.7 to 2.7. 2015 Article Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.5-6.50 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100566 544.225.2, 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н.
Кудринский, З.Р.
Кушнир, Б.В.
Нетяга, В.В.
Хомяк, В.В.
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO—p-InSe.
format Article
author Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н.
Кудринский, З.Р.
Кушнир, Б.В.
Нетяга, В.В.
Хомяк, В.В.
author_facet Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н.
Кудринский, З.Р.
Кушнир, Б.В.
Нетяга, В.В.
Хомяк, В.В.
author_sort Ковалюк, З.Д.
title Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
title_short Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
title_full Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
title_fullStr Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
title_full_unstemmed Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
title_sort влияние отжига на вах гетероперехода n-zno—p-inse
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2015
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100566
citation_txt Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT kovalûkzd vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse
AT katerinčukvn vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse
AT kudrinskijzr vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse
AT kušnirbv vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse
AT netâgavv vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse
AT homâkvv vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse
first_indexed 2024-03-30T08:50:25Z
last_indexed 2024-03-30T08:50:25Z
_version_ 1796148684365234176

Схожі ресурси