2025-02-23T06:12:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-100590%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:12:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-100590%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:12:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T06:12:27-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
В температурній області 80 ÷ 400 К досліджено електричні властивості кристалів селеніду індію InSe, опромінених електронами з енергією 9,2 МеВ. Спостережені екстремуми на температурних залежностях коефіцієнта Холла та холлівської рухливості електронів вздовж шарів пояснені в рамках моделі, яка пере...
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100590 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | В температурній області 80 ÷ 400 К досліджено електричні властивості кристалів селеніду індію InSe, опромінених електронами з енергією 9,2 МеВ. Спостережені екстремуми на температурних залежностях коефіцієнта Холла та холлівської рухливості електронів вздовж шарів
пояснені в рамках моделі, яка передбачає змішану провідність по зоні провідності та домішковій
зоні, утвореній донорними центрами. Модельні обчислення, що враховують перерозподіл носіїв
між зонами, добре відтворюють експериментальні дані. Аналіз температурноїзміни хімпотенціалу та обрахунки в моделі частково компенсованого донорного рівня додатково підтверджують
існування домішковоїзони, ширина якої становить 6 ÷ 8 меВ. Висока рухливість носіїв в ній зумовлена делокалізованим характером провідності. |
|---|