Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы
Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к распылен...
Збережено в:
Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
---|---|
Дата: | 2013 |
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100597 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы / В.А. Белоус, В.М. Лунёв, Г.И. Носов, А.С. Куприн, Г.Н. Толмачёва, И.В. Колодий // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 412–419. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней
из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к распылению соединений скорость их травления снижалась, по
сравнению с распылением в чистом аргоне, соответственно, в ∼10 и ∼7 раз. Рентгеноструктурный анализ показал, что на поверхности Ti мишени присутствует гексагональный нитрид
титана (TiN₀,₃). На дифрактограмме Si мишени присутствует только одна линия Si (111). Глубина
модифицированного слоя для Ti составляла более 3 мкм, а для Si < 0,5 мкм. |
---|