Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы
Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к распылен...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100597 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы / В.А. Белоус, В.М. Лунёв, Г.И. Носов, А.С. Куприн, Г.Н. Толмачёва, И.В. Колодий // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 412–419. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-100597 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1005972016-05-25T03:02:08Z Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к распылению соединений скорость их травления снижалась, по сравнению с распылением в чистом аргоне, соответственно, в ∼10 и ∼7 раз. Рентгеноструктурный анализ показал, что на поверхности Ti мишени присутствует гексагональный нитрид титана (TiN₀,₃). На дифрактограмме Si мишени присутствует только одна линия Si (111). Глубина модифицированного слоя для Ti составляла более 3 мкм, а для Si < 0,5 мкм. Відпрацьована методика легування TiN покриттів шляхом одночасного розпилення мішеней з Ti та Si іонами азоту і аргону, генерованими джерелом газової плазми ( ДГП ). Найбільше значення твердості ( ∼33 ГПа ) досягнуто при СSi ∼7 ваг. %. За рахунок утворення на поверхні Ti та Si стійких до розпилення сполукшвидкість їх травлення знижувалася, порівняно з розпиленням в чистому аргоні, відповідно, в ∼10 та ∼7 разів. Рентгеноструктурний аналіз показав, що на поверхні Ti мішені присутній гексагональний нітрид титану (TiN₀,₃). На дифрактограмі Si мішені присутня тільки одна лінія Si (111). Глибина модифікованого шару для Ti становила понад 3 мкм, а для Si < 0,5 мкм. Technique of doping TiN coatings by simultaneous sputtering of Ti and Si targets by nitrogen and argon ions generated from the gas plasma source (GPS) was developed. The highest value of hardness (∼33 GPa) was achieved at the CSi ∼ 7 wt%. The etching rate of Si and Ti, compared to sputtering in pure argon, are decreased due to the formation on their surfaces resistant to sputtering compounds ∼10 and ∼7, respectively. XRD analysis showed that the surface of the Ti target contains hexagonal titanium nitride (TiN₀,₃). At diffractogram of Si target there is only one line of Si (111). The depth of the modified layer of Ti is over 3 мm and for Si < 0,5 microns. 2013 Article Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы / В.А. Белоус, В.М. Лунёв, Г.И. Носов, А.С. Куприн, Г.Н. Толмачёва, И.В. Колодий // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 412–419. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100597 533.915:539.23 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней
из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к распылению соединений скорость их травления снижалась, по
сравнению с распылением в чистом аргоне, соответственно, в ∼10 и ∼7 раз. Рентгеноструктурный анализ показал, что на поверхности Ti мишени присутствует гексагональный нитрид
титана (TiN₀,₃). На дифрактограмме Si мишени присутствует только одна линия Si (111). Глубина
модифицированного слоя для Ti составляла более 3 мкм, а для Si < 0,5 мкм. |
| format |
Article |
| author |
Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. |
| spellingShingle |
Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. |
| author_sort |
Белоус, В.А. |
| title |
Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_short |
Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_full |
Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_fullStr |
Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_full_unstemmed |
Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_sort |
иссдедование процессов формирования tisin покрытий путём распыления мишений из ti и si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100597 |
| citation_txt |
Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы / В.А. Белоус, В.М. Лунёв, Г.И. Носов, А.С. Куприн, Г.Н. Толмачёва, И.В. Колодий // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 412–419. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT belousva issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytijputëmraspyleniâmišenijiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovojplazmy AT lunëvvm issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytijputëmraspyleniâmišenijiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovojplazmy AT nosovgi issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytijputëmraspyleniâmišenijiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovojplazmy AT kuprinas issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytijputëmraspyleniâmišenijiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovojplazmy AT tolmačëvagn issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytijputëmraspyleniâmišenijiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovojplazmy AT kolodijiv issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytijputëmraspyleniâmišenijiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovojplazmy |
| first_indexed |
2024-03-30T08:50:33Z |
| last_indexed |
2024-03-30T08:50:33Z |
| _version_ |
1796148687115649024 |