Закономерности формирования напряженно-деформированного состояния в ионно-плазменных конденсатах системы TiC-WC
Методом рентгеновской дифрактометрии, включающим рентгентензометрию (“a-sin2 ψ-метод), проанализировано фазово-структурное и напряженно-деформированное состояния ионно-плаз-менных покрытий квазибинарной системы TiC-WC в зависимости от соотношения TiC/WC составляющих и температуры осаждения. Выявл...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100599 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Закономерности формирования напряженно-деформированного состояния в ионно-плазменных конденсатах системы TiC-WC / О. А. Шовкопляс, О. В. Соболь // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 431–438. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Методом рентгеновской дифрактометрии, включающим рентгентензометрию (“a-sin2
ψ-метод),
проанализировано фазово-структурное и напряженно-деформированное состояния ионно-плаз-менных покрытий квазибинарной системы TiC-WC в зависимости от соотношения TiC/WC
составляющих и температуры осаждения. Выявлено расширение (по сравнению с равновесным) границ области существования кристаллического состояния с кубической решеткой структурного типа NaCl. Установлено, что TiC составляющая с сильной ковалентной связью между
металлом и углеродом приводит к повышению величины остаточных напряжений сжатия в
покрытии, которые при температуре осаждения 530 К и составе 25 мол.% WC – 75 мол.% TiC
достигли – 7.7 ГПа. Определено, что в нанокристаллическом состоянии покрытий коэффициент
Пуассона близок к 0.24, а коэффициент термического расширения – 2⋅10−5 К−1
. |
---|