Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2003
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101844 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-101844 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1018442016-06-09T03:02:05Z Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. 2003 Article Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101844 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| author |
Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| spellingShingle |
Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| author_sort |
Осинский, В.И. |
| title |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_short |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_full |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_fullStr |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_full_unstemmed |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_sort |
влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах ingan/al₂o₃ |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2003 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101844 |
| citation_txt |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT osinskijvi vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 AT gončarenkoti vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 AT lâhovann vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 |
| first_indexed |
2023-10-18T20:03:35Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:03:35Z |
| _version_ |
1796148813024460800 |