2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-101844%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-101844%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
Saved in:
Main Authors: | Осинский, В.И., Гончаренко, Т.И., Ляхова, Н.Н. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2003
|
Series: | Физическая инженерия поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101844 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-101844%22&qt=morelikethis
2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-101844%22&qt=morelikethis
2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T23:58:31-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017) -
Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
by: Горох, Г.Г., et al.
Published: (2011) -
Расчет элементного состава варизонных структур А³В⁵ для белых светодиодов
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2003) -
Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
by: Деминский, П.В., et al.
Published: (2012) -
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
by: Вакуленко, О.В., et al.
Published: (2011)