Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами

Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого изменения перераспределения напряжения в дополнительном управляющем p-n-переход...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Якубов, Э.Н., Юлдашев, Ш.Ш., Тураев, А.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101868
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Э.Н. Якубов, Ш.Ш. Юлдашев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 336-341. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine