Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃

• Дата: 2012
• Автори: Бахтінов, А.П., Водоп’янов, В.М., Ковалюк, З.Д., Кудринський, З.Р., Нетяга, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101870
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.

Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабних деформаціях кристалу і при проявленні ефекту електронного флексоелектричного зв’язку на викривлених нанорозмірних ділянках його шарів, через які здійснюється вертикальний транспорт носіїв заряду. Встановлено значне зростання електричної ємності композитних наноструктур при їх освітленні. Це явище може бути обумовлене екрануванням спонтанної поляризації нанорозмірних сегнетоелектричних включень нерівноважними носіями заряду на границях розділу між включеннями і матрицею GaSe.