Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃

Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабни...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Бахтінов, А.П., Водоп’янов, В.М., Ковалюк, З.Д., Кудринський, З.Р., Нетяга, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101870
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-101870
record_format dspace
spelling irk-123456789-1018702016-06-09T03:02:21Z Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Кудринський, З.Р. Нетяга, В.В. Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабних деформаціях кристалу і при проявленні ефекту електронного флексоелектричного зв’язку на викривлених нанорозмірних ділянках його шарів, через які здійснюється вертикальний транспорт носіїв заряду. Встановлено значне зростання електричної ємності композитних наноструктур при їх освітленні. Це явище може бути обумовлене екрануванням спонтанної поляризації нанорозмірних сегнетоелектричних включень нерівноважними носіями заряду на границях розділу між включеннями і матрицею GaSe. Исследованы импедансные спектры композитных наноструктур GaSe<KNO₃> в темноте и при их облучении светом. Зависимость импедансных спектров от приложенного к структурам постоянного напряжения при их облучении светом связывается с квантово-размерными эффектами, которые проявляются при наномасштабных деформациях кристалла и вследствие проявления эффекта электронной флексоэлектрической связи на искривленных наноразмерных участках его слоев, через которые осуществляется вертикальный транспорт носителей заряда. Установлено значительное увеличение электрической емкости композитных наноструктур при их освещении. Это явление обусловлено экранированием спонтанной поляризации наноразмерных сегнетоэлектрических включений неравновесными носителями заряда на границах раздела между включениями и матрицей GaSe. Impedance spectra of the composite GaSe<KNO₃> nanostructures are investigated in dark and under illumination. Dependence of the impedance spectra of the composite GaSe<KNO₃> nanostructures on dc voltage under light illumination is associated with quantum-confinement effects under nanoscale deformation оf crystal and due to electronic flexoelectricity effect in curved nanoscale layered-crystal regions through vertical transport of carriers occurs. We have found an essential increase of electrical capacity of the composite nanostructures under their illumination. This phenomenon is attributed with screening of spontaneous polarization inside the nanoscale ferroelectric inclusions by the non-equilibrium charge carriers at interfaces between inclusions and GaSe matrix. 2012 Article Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101870 538.956 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабних деформаціях кристалу і при проявленні ефекту електронного флексоелектричного зв’язку на викривлених нанорозмірних ділянках його шарів, через які здійснюється вертикальний транспорт носіїв заряду. Встановлено значне зростання електричної ємності композитних наноструктур при їх освітленні. Це явище може бути обумовлене екрануванням спонтанної поляризації нанорозмірних сегнетоелектричних включень нерівноважними носіями заряду на границях розділу між включеннями і матрицею GaSe.
format Article
author Бахтінов, А.П.
Водоп’янов, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кудринський, З.Р.
Нетяга, В.В.
spellingShingle Бахтінов, А.П.
Водоп’янов, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кудринський, З.Р.
Нетяга, В.В.
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
Физическая инженерия поверхности
author_facet Бахтінов, А.П.
Водоп’янов, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кудринський, З.Р.
Нетяга, В.В.
author_sort Бахтінов, А.П.
title Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_short Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_full Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_fullStr Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_full_unstemmed Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_sort фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-gase і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика kno₃
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101870
citation_txt Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT bahtínovap fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT vodopânovvm fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT kovalûkzd fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT kudrinsʹkijzr fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT netâgavv fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
first_indexed 2024-03-30T08:56:08Z
last_indexed 2024-03-30T08:56:08Z
_version_ 1796148815662678016

Схожі ресурси