Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления

В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамиче...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2012
Автори: Маматкаримов, О.О., Хамидов, Р.Х., Жабборов, Р.Г., Туйчиев, У.А., Кучкаров, Б.Х.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101880
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-101880
record_format dspace
spelling irk-123456789-1018802016-06-09T03:02:35Z Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления Маматкаримов, О.О. Хамидов, Р.Х. Жабборов, Р.Г. Туйчиев, У.А. Кучкаров, Б.Х. В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамический тензоэффект этих образцов связан 50% от температуры и 50% от колебательных эффектов кристаллической решетки образцов кремния с примесью никеля. У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю. In this article have been investigated changes in the concentration and mobility of charge carriers in the samples of n and p type of nickel doped silicon under pulse hydrostatic pressure and with change of temperature by electrical heater integrated to the samples. Has been shown, that the dynamic strain effect of these samples due to 50% of the temperature and 50% of the vibration effects of the crystal lattice of nickel doped silicon. 2012 Article Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101880 539.21:621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамический тензоэффект этих образцов связан 50% от температуры и 50% от колебательных эффектов кристаллической решетки образцов кремния с примесью никеля.
format Article
author Маматкаримов, О.О.
Хамидов, Р.Х.
Жабборов, Р.Г.
Туйчиев, У.А.
Кучкаров, Б.Х.
spellingShingle Маматкаримов, О.О.
Хамидов, Р.Х.
Жабборов, Р.Г.
Туйчиев, У.А.
Кучкаров, Б.Х.
Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
Физическая инженерия поверхности
author_facet Маматкаримов, О.О.
Хамидов, Р.Х.
Жабборов, Р.Г.
Туйчиев, У.А.
Кучкаров, Б.Х.
author_sort Маматкаримов, О.О.
title Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_short Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_full Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_fullStr Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_full_unstemmed Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_sort релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101880
citation_txt Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT mamatkarimovoo relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ
AT hamidovrh relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ
AT žabborovrg relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ
AT tujčievua relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ
AT kučkarovbh relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ
first_indexed 2024-03-30T08:56:11Z
last_indexed 2024-03-30T08:56:11Z
_version_ 1796148816514121728

Схожі ресурси