Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію

• Дата: 2012
• Автори: Ковалюк, З.Д., Боледзюк, В.Б., Шевчик, В.В., Дубик, О.М., Камінський, В.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101884
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметр...