Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101888 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / А.З. Рахматов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 392-396. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-101888 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1018882016-06-09T03:02:33Z Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах Рахматов, А.З. Каримов, А.В. На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле для времени жизни неосновных носителей заряда при больших концентрациях ловушек τp = τp0(1 + Nсм/n0). При этом зависимость Kτ от флюенса нейтронов вероятнее всего определяется уменьшением концентрации основных носителей под воздействием облучения. На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від радіаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим ступенем вірогідності (R² = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення. Based on experimental data of the dependence of the minority carrier lifetime from radiation exposure was concluded that the relationship Kτ0/Kτ (Ф) from ρ(Ф)/ρ(0) with a high degree of confidence (R² = 0,96) is approximated by a straight line and actually it is very close to the well-known formula for the lifetime of minority carriers at high concentration of traps τp0(1 + Nsm/n0). The dependence of the Kτ from neutron fluence probably is determined by decreasing the concentration of majoritycarriers under irradiation. 2012 Article Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / А.З. Рахматов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 392-396. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101888 621.315.592.2 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле для времени жизни неосновных носителей заряда при больших концентрациях ловушек τp = τp0(1 + Nсм/n0). При этом зависимость Kτ от флюенса нейтронов вероятнее всего определяется уменьшением концентрации основных носителей под воздействием облучения. |
| format |
Article |
| author |
Рахматов, А.З. Каримов, А.В. |
| spellingShingle |
Рахматов, А.З. Каримов, А.В. Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Рахматов, А.З. Каримов, А.В. |
| author_sort |
Рахматов, А.З. |
| title |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_short |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_full |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_fullStr |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_full_unstemmed |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_sort |
анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101888 |
| citation_txt |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / А.З. Рахматов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 392-396. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT rahmatovaz analizperehodnyhprocessovvradiacionnooblučenyhkremnievyhpnnstrukturah AT karimovav analizperehodnyhprocessovvradiacionnooblučenyhkremnievyhpnnstrukturah |
| first_indexed |
2024-03-30T08:56:13Z |
| last_indexed |
2024-03-30T08:56:13Z |
| _version_ |
1796148817364516864 |