Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта

• Дата: 2014
• Автори: Чернышов, Н.Н., Слипченко, Н.И., Селевко, С.Н., Умяров, Р.Я., Садым, Д.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/102627
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, С.Н. Селевко, Р.Я. Умяров, Д.Н. Садым // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 114-122. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

В статье показаны тенденции развития ФЭП, которые основаны на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Для этих целей применяют различные конструкции ФЭП. Существуют ФЭП на основе монокристаллического либо аморфного Si, органические, фотохимические, многослойные и другие. Многослойные ФЭП имеют высокий уровень КПД, но техпроцесс для их производства очень громоздок. В этой статье рассмотрены ФЭП на основе монокристаллического Si, так как они достигли большого распространения, показано их описание структуры и принцип действия. Практическое значение работы заключается в том, что в работе сделано описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, сделано описание компьютерной модели ФЭП и рассмотрены методы повышения КПД.