Вплив термічного відпалу на властивості моноселеніду індію та галію, легованого кобальтом і селенідом ванадію
Досліджено частотні спектри імпедансу та діелектричної проникності легованих кобальтом та селенідом ванадію кристалів InSe та GaSe. Встановлено сильну частотну залежність діелектричної проникності для легованих кристалів GaSe<Co>. Показано вплив термічного відпалу у вакуумі на електричні власт...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103563 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив термічного відпалу на властивості моноселеніду індію та галію, легованого кобальтом і селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.В. Шевчик, В.Б. Боледзюк, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 190-196. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Досліджено частотні спектри імпедансу та діелектричної проникності легованих кобальтом та селенідом ванадію кристалів InSe та GaSe. Встановлено сильну частотну залежність діелектричної проникності для легованих кристалів GaSe<Co>. Показано вплив термічного відпалу у вакуумі на електричні властивості кристалів InSe та GaSe легованих кобальтом і селенідом ванадію та виявлено залежність зміни електричного опору легованих кристалів від температури термообробки. |
|---|