Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано пр...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103569 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-103569 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1035692016-06-21T03:02:21Z Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния. Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. Досліджено спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90—500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are measured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an essential role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon. 2014 Article Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 PACS:7350 Pz.7361 Le.7840 Fy http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103569 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния. |
| format |
Article |
| author |
Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. |
| spellingShingle |
Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. |
| author_sort |
Джабуа, З.У. |
| title |
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_short |
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_full |
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_fullStr |
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_full_unstemmed |
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_sort |
легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2014 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103569 |
| citation_txt |
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT džabuazu legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvojstvatonkihplënokpolutornogosulʹfidatuliâ AT tetelošvilimg legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvojstvatonkihplënokpolutornogosulʹfidatuliâ AT gigineišviliav legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvojstvatonkihplënokpolutornogosulʹfidatuliâ |
| first_indexed |
2024-03-30T09:00:29Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:00:29Z |
| _version_ |
1796148994350514176 |