Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано пр...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103569 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |