Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Кучинский, П.В., Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Ковалева, Т.Б., Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьев, Я.А., Гапоненко, С.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2014
Назва видання:	Электрические контакты и электроды
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104006
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-104006
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1040062016-06-29T03:02:14Z Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В. Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi. Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni1-xPtxSi. A new method of forming a Schottky barrier, including a magnetron deposition of thin compound metal films (Pt, Ni and V) on silicon and a subsequent heat treatment step, was proposed. Using this method Schottky diodes were fabricated with a barrier height from 0,69 to 0,71 V. It was found that the barrier layer consists of Ni1-xPtxSi silicide phase. 2014 Article Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2311-0627 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104006 539.234,538.911,549.086,621.382.22 ru Электрические контакты и электроды Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi.
format	Article
author	Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В.
spellingShingle	Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В. Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки Электрические контакты и электроды
author_facet	Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В.
author_sort	Кучинский, П.В.
title	Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_short	Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_full	Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_fullStr	Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_full_unstemmed	Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_sort	формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода шоттки
publisher	Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
publishDate	2014
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104006
citation_txt	Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series	Электрические контакты и электроды
work_keys_str_mv	AT kučinskijpv formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT komarovff formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT milʹčaninov formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT kovalevatb formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT soloduhava formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT turcevičas formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT solovʹevâa formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT gaponenkosv formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
first_indexed	2023-10-18T20:07:27Z
last_indexed	2023-10-18T20:07:27Z
_version_	1796149036048187392

Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

Репозитарії

Схожі ресурси