Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
Изучено особенности поведения электросопротивления σ⁻¹ многослойных композиций (МСК) Al–Cu при изменении толщины слоя в диапазоне h = 20–350 нм и МСК графит–фторопласт (h = 300–1600 нм). Показано, что в отличие от МСК Al–Cu, где σ⁻¹ нарастает с уменьшением h за счёт неупругого рассеяния электронов...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104112 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт / А.А. Беженар, Дун Занмин, В.С. Копань, С.Л. Рево, Н.В. Хуторянская // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 595-602. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-104112 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1041122016-07-02T03:02:09Z Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт Беженар, А.А. Занмин Дун Копань, В.С. Рево, С.Л. Хуторянская, Н.В. Электронные структура и свойства Изучено особенности поведения электросопротивления σ⁻¹ многослойных композиций (МСК) Al–Cu при изменении толщины слоя в диапазоне h = 20–350 нм и МСК графит–фторопласт (h = 300–1600 нм). Показано, что в отличие от МСК Al–Cu, где σ⁻¹ нарастает с уменьшением h за счёт неупругого рассеяния электронов на границах между слоями, в компози-ции графит–фторопласт оно нарастает за счет туннелирования носителей тока через зазоры между частицами графита. Вивчено залежність електроопору σ⁻¹ багатошарових композицій (БШК) Al–Cu від товщини шару в діапазоні h = 20–350 нм та БШК графіт–фторо-пласт (h = 300–1600 нм). Показано, що в БШК Al–Cu σ⁻¹ наростає зі зменшенням h за рахунок непружного розсіювання електронів на границях між шарами, а в БШК графіт–фторопласт — за рахунок тунелювання че-рез зазори між частинками графіту. The dependence of the electrical resistivity σ⁻¹ of multilayer compositions (MLC) of Al–Cu on the thickness of layer in the range h = 20–350 nm and MLC of graphite-fluoroplastic (h = 300–1600 nm) is investigated. It is shown that σ⁻¹ grows with decreasing of h due to the inelastic scattering of electrons at the boundaries between layers in the MLC of Al–Cu and due to tunnelling through the gaps between the graphite particles in the MLC of graphite–fluoroplastic. 2013 Article Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт / А.А. Беженар, Дун Занмин, В.С. Копань, С.Л. Рево, Н.В. Хуторянская // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 595-602. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1024-1809 PACS numbers: 72.80Tm, 73.21Ас, 73.40.Gk, 73.40.Jn, 73.40.Ns, 73.50.Mx, 81.20.Hy http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104112 ru Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Электронные структура и свойства Электронные структура и свойства |
| spellingShingle |
Электронные структура и свойства Электронные структура и свойства Беженар, А.А. Занмин Дун Копань, В.С. Рево, С.Л. Хуторянская, Н.В. Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт Металлофизика и новейшие технологии |
| description |
Изучено особенности поведения электросопротивления σ⁻¹ многослойных композиций (МСК) Al–Cu при изменении толщины слоя в диапазоне h = 20–350 нм и МСК графит–фторопласт (h = 300–1600 нм). Показано, что в отличие от МСК Al–Cu, где σ⁻¹ нарастает с уменьшением h за счёт неупругого рассеяния электронов на границах между слоями, в компози-ции графит–фторопласт оно нарастает за счет туннелирования носителей тока через зазоры между частицами графита. |
| format |
Article |
| author |
Беженар, А.А. Занмин Дун Копань, В.С. Рево, С.Л. Хуторянская, Н.В. |
| author_facet |
Беженар, А.А. Занмин Дун Копань, В.С. Рево, С.Л. Хуторянская, Н.В. |
| author_sort |
Беженар, А.А. |
| title |
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт |
| title_short |
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт |
| title_full |
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт |
| title_fullStr |
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт |
| title_full_unstemmed |
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт |
| title_sort |
электросопротивление многослойных композиций al–cu и графит–фторопласт |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Электронные структура и свойства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104112 |
| citation_txt |
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт / А.А. Беженар, Дун Занмин, В.С. Копань, С.Л. Рево, Н.В. Хуторянская // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 595-602. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Металлофизика и новейшие технологии |
| work_keys_str_mv |
AT beženaraa élektrosoprotivleniemnogoslojnyhkompozicijalcuigrafitftoroplast AT zanmindun élektrosoprotivleniemnogoslojnyhkompozicijalcuigrafitftoroplast AT kopanʹvs élektrosoprotivleniemnogoslojnyhkompozicijalcuigrafitftoroplast AT revosl élektrosoprotivleniemnogoslojnyhkompozicijalcuigrafitftoroplast AT hutorânskaânv élektrosoprotivleniemnogoslojnyhkompozicijalcuigrafitftoroplast |
| first_indexed |
2023-10-18T20:07:41Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:07:41Z |
| _version_ |
1796149046558064640 |