Моделювання процесу дифузійного оксидоутворення на поверхні нанорозмірних металевих плівок

Методами Оже-електронної спектроскопії, Рентгенівського локального мікроаналізу, Резерфордівського оберненого розсіювання, рентгенофазового аналізу, растрової електронної мікроскопії досліджено початкові стадії низькотемпературної дифузії у нанорозмірних плівкових системах Cu(180 нм)/Mn(60 нм)/SiO₂...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Олешкевич, А.І., Сидоренко, С.І., Гусак, А.М., Волошко, С.М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Назва видання:Металлофизика и новейшие технологии
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104114
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделювання процесу дифузійного оксидоутворення на поверхні нанорозмірних металевих плівок / А.І. Олешкевич, С.І. Сидоренко, А.М. Гусак, С.М. Волошко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 611-622. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Методами Оже-електронної спектроскопії, Рентгенівського локального мікроаналізу, Резерфордівського оберненого розсіювання, рентгенофазового аналізу, растрової електронної мікроскопії досліджено початкові стадії низькотемпературної дифузії у нанорозмірних плівкових системах Cu(180 нм)/Mn(60 нм)/SiO₂ та Sn(60 нм)/Cu(180 нм)/Mn(60 нм)/SiO₂. Показано, що манган дифундує по межам зерен «верхніх» шарів, і реакція його окиснення на зовнішній поверхні створює додаткову рушійну силу масопереносу. Концентрація Mn на поверхні тришарової системи після відпалу у вакуумі 10⁻⁶ Па за температури 200°C впродовж 20 хв. є більшою, ніж за аналогічних умов відпалу двошарової системи, що пов’язується з розвитком фазових перетворень. Запропоновано теоретичну модель, яка дозволяє прогнозувати кінетику росту оксиду Mn₃O₄ на поверхні системи Cu/Mn, виконано кількісні розрахунки. Показано, що найбільша швидкість росту оксиду спостерігається в області стику межі зерна з поверхнею плівкової системи.