2025-02-23T03:28:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-104175%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T03:28:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-104175%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T03:28:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T03:28:45-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя

В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких с...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Шаповалов, А.П.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Series:	Металлофизика и новейшие технологии
Subjects:	Электронные структура и свойства
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104175
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-104175
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1041752016-07-04T03:02:08Z Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя Шаповалов, А.П. Электронные структура и свойства В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких структур в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике: линейной ВАХ в условиях отсутствия легирования, ВАХ с недостатком тока в случае низких концентраций (до 3—4 ат.%) примесей, ВАХ с избытком тока в случае увеличения концентрации примесей. Обсуждаются физические механизмы, определяющие транспорт заряда в таких структурах. В роботі наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe виду надпровідник—леґований напівпровідник—надпровідник при різних рівнях леґування вольфрамом напівпровідникового шару. Показано можливість реалізації різних типів ВАХ таких структур залежно від концентрації домішок у напівпровіднику: лінійна ВАХ в умовах відсутності леґування, ВАХ з нестачею струму у випадку низьких концентрацій (до 3—4 ат.%) домішок, ВАХ з надлишком струму в разі збільшення концентрації домішок. Обговорюються фізичні механізми, що визначають транспорт заряду в таких структурах. Current—voltage characteristics (CVC) of MoRe—Si(W)—MoRe heterostructures of superconductor—semiconductor—superconductor type are measured for various levels of alloying of the semiconductor layers (Si layers alloyed with tungsten). A possibility of realization of various types of the CVC of heterostructures is shown. Depending on impurity concentration in the semiconductor layer, the next CVC types are observed: i) linear current—voltage characteristic in the absence of alloying, ii) the current deficient CVC in the case of low impurities’ concentrations (less than 3—4 at.%), iii) the current excess CVC in the case of increase of the impurities’ concentration. Physical mechanisms of the charge transport in such structures are discussed. 2013 Article Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1024-1809 PACS numbers: 73.20.Fz, 73.20.Hb, 73.20.Jc, 73.22.-f, 74.45.+c, 74.50.+r http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104175 ru Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Электронные структура и свойства Электронные структура и свойства
spellingShingle	Электронные структура и свойства Электронные структура и свойства Шаповалов, А.П. Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя Металлофизика и новейшие технологии
description	В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких структур в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике: линейной ВАХ в условиях отсутствия легирования, ВАХ с недостатком тока в случае низких концентраций (до 3—4 ат.%) примесей, ВАХ с избытком тока в случае увеличения концентрации примесей. Обсуждаются физические механизмы, определяющие транспорт заряда в таких структурах.
format	Article
author	Шаповалов, А.П.
author_facet	Шаповалов, А.П.
author_sort	Шаповалов, А.П.
title	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_short	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_full	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_fullStr	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_full_unstemmed	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_sort	транспорт заряда в more—si(w)—more-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate	2013
topic_facet	Электронные структура и свойства
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104175
citation_txt	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
series	Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv	AT šapovalovap transportzarâdavmoresiwmoregeterostrukturahprirazličnyhurovnâhlegirovaniâpoluprovodnikovogosloâ
first_indexed	2023-10-18T20:07:49Z
last_indexed	2023-10-18T20:07:49Z
_version_	1796149052604153856

Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя

Similar Items