Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя

Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя

В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких с...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Дата:2013
Автор: Шаповалов, А.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Назва видання:Металлофизика и новейшие технологии
Теми:
Электронные структура и свойства
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104175
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-104175
record_format dspace
spelling irk-123456789-1041752016-07-04T03:02:08Z Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя Шаповалов, А.П. Электронные структура и свойства В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких структур в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике: линейной ВАХ в условиях отсутствия легирования, ВАХ с недостатком тока в случае низких концентраций (до 3—4 ат.%) примесей, ВАХ с избытком тока в случае увеличения концентрации примесей. Обсуждаются физические механизмы, определяющие транспорт заряда в таких структурах. В роботі наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe виду надпровідник—леґований напівпровідник—надпровідник при різних рівнях леґування вольфрамом напівпровідникового шару. Показано можливість реалізації різних типів ВАХ таких структур залежно від концентрації домішок у напівпровіднику: лінійна ВАХ в умовах відсутності леґування, ВАХ з нестачею струму у випадку низьких концентрацій (до 3—4 ат.%) домішок, ВАХ з надлишком струму в разі збільшення концентрації домішок. Обговорюються фізичні механізми, що визначають транспорт заряду в таких структурах. Current—voltage characteristics (CVC) of MoRe—Si(W)—MoRe heterostructures of superconductor—semiconductor—superconductor type are measured for various levels of alloying of the semiconductor layers (Si layers alloyed with tungsten). A possibility of realization of various types of the CVC of heterostructures is shown. Depending on impurity concentration in the semiconductor layer, the next CVC types are observed: i) linear current—voltage characteristic in the absence of alloying, ii) the current deficient CVC in the case of low impurities’ concentrations (less than 3—4 at.%), iii) the current excess CVC in the case of increase of the impurities’ concentration. Physical mechanisms of the charge transport in such structures are discussed. 2013 Article Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1024-1809 PACS numbers: 73.20.Fz, 73.20.Hb, 73.20.Jc, 73.22.-f, 74.45.+c, 74.50.+r http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104175 ru Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронные структура и свойства
Электронные структура и свойства
spellingShingle Электронные структура и свойства
Электронные структура и свойства
Шаповалов, А.П.
Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
Металлофизика и новейшие технологии
description В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких структур в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике: линейной ВАХ в условиях отсутствия легирования, ВАХ с недостатком тока в случае низких концентраций (до 3—4 ат.%) примесей, ВАХ с избытком тока в случае увеличения концентрации примесей. Обсуждаются физические механизмы, определяющие транспорт заряда в таких структурах.
format Article
author Шаповалов, А.П.
author_facet Шаповалов, А.П.
author_sort Шаповалов, А.П.
title Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_short Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_full Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_fullStr Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_full_unstemmed Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_sort транспорт заряда в more—si(w)—more-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2013
topic_facet Электронные структура и свойства
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104175
citation_txt Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
series Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv AT šapovalovap transportzarâdavmoresiwmoregeterostrukturahprirazličnyhurovnâhlegirovaniâpoluprovodnikovogosloâ
first_indexed 2023-10-18T20:07:49Z
last_indexed 2023-10-18T20:07:49Z
_version_ 1796149052604153856

Схожі ресурси