Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких с...
Збережено в:
Видавець: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
---|---|
Дата: | 2013 |
Автор: | Шаповалов, А.П. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104175 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2014) -
Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2014) -
Влияние эффекта близости на возникновение пороговой и когерентной неустойчивости неравновесного сверхпроводящего состояния в сэндвиче MoRe/Al
за авторством: Дубина, Д.С., та інші
Опубліковано: (2013) -
Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2017) -
Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
за авторством: Бойло, И.В.
Опубліковано: (2016)