Магнитосопротивление нестационарного магнитного туннельного перехода
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный магнитный туннельный переход в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Изучена зависимость активной и реактивной составляющих высокочастотного туннельного магнитосопротивления перехода от приложенного постоянного напряже...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2009
|
Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105748 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Магнитосопротивление нестационарного магнитного туннельного перехода / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 190-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Исследовано туннелирование электронов через нестационарный магнитный туннельный переход в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Изучена зависимость активной и реактивной составляющих высокочастотного туннельного магнитосопротивления перехода от приложенного постоянного напряжения смещения. |
---|