Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами

Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами

Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:2010
Автори: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105806
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-105806
record_format dspace
spelling irk-123456789-1058062016-09-12T18:50:40Z Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Вакуумная и твердотельная электроника Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются условия реализации ОДП в диодах, токи, протекающие через диод, вольт-амперные характеристики диода, задачи, которые необходимо решить при дальнейших исследованиях диодов с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Предлагаются варианты планарных структур и структур типа «сэндвич». Розглядаються діоди, у яких при певних напругах виникає негативна диференційна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бічні межі діода, яка може бути використана для генерації, підсилення та помноження. Визначено умови реалізації НДП у діодів, струми, що проходять крізь діод, вольт-амперні характеристики діода, задачі, які необхідно розв’язати при подальших дослідженнях діодів з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами. Пропонуються варіанти планарних структур і структур типа «сендвіч». The diode that have negative differential conductivity (NDC) due to tunneling or resonance tunnel electron through lateral facet of the diode is considered. This diodes cab be used for generation, amplifier and frequency multiplication. The arising condition of NDC, current and current-voltage characteristics have been determined. The planar and type of “sandwich” diode structures are conceded. 2010 Article Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105806 621.382.2 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
Радіофізика та електроніка
description Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются условия реализации ОДП в диодах, токи, протекающие через диод, вольт-амперные характеристики диода, задачи, которые необходимо решить при дальнейших исследованиях диодов с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Предлагаются варианты планарных структур и структур типа «сэндвич».
format Article
author Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
author_facet Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
author_sort Прохоров, Э.Д.
title Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_short Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_full Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_fullStr Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_full_unstemmed Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_sort отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2010
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105806
citation_txt Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT prohorovéd otricatelʹnaâdifferencialʹnaâprovodimostʹpoluprovodnikovogodiodastunnelʹnymibokovymigranicami
AT boculaov otricatelʹnaâdifferencialʹnaâprovodimostʹpoluprovodnikovogodiodastunnelʹnymibokovymigranicami
first_indexed 2023-10-18T20:11:26Z
last_indexed 2023-10-18T20:11:26Z
_version_ 1796149211646918656

Схожі ресурси