Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах

• Дата: 2012
• Автори: Лукин, К.А., Максимов, П.П., Шиян, Ю.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2012
• Назва видання: Радіофізика та електроніка
• Теми: Вакуумная и твердотельная электроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105897
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах / К.А. Лукин, П.П. Максимов, Ю.А. Шиян // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 65-71. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с резкими лавинными p–n-переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы нелинейные, частотные и фазовые искажения сигналов. Рассмотрен механизм преобразования частоты. Определены факторы, влияющие на преобразовательные свойства pn–i–pn-структур. Показано, что коэффициент преобразования частоты постоянен.