Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов

Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:2012
Автор: Стороженко, И.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2012
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-105899
record_format dspace
spelling irk-123456789-1058992016-09-13T03:02:32Z Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов Стороженко, И.П. Вакуумная и твердотельная электроника Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом. Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом. The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given. 2012 Article Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899 621.382.2 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
Стороженко, И.П.
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
Радіофізика та електроніка
description Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом.
format Article
author Стороженко, И.П.
author_facet Стороженко, И.П.
author_sort Стороженко, И.П.
title Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_short Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_full Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_fullStr Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_full_unstemmed Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_sort резонансные частоты диодов ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899
citation_txt Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT storoženkoip rezonansnyečastotydiodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovyhnitridov
first_indexed 2023-10-18T20:11:40Z
last_indexed 2023-10-18T20:11:40Z
_version_ 1796149221548621824

Схожі ресурси