2025-02-23T07:09:26-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-105899%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T07:09:26-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-105899%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T07:09:26-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T07:09:26-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов

Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Стороженко, И.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2012
Series:Радіофізика та електроніка
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-105899
record_format dspace
spelling irk-123456789-1058992016-09-13T03:02:32Z Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов Стороженко, И.П. Вакуумная и твердотельная электроника Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом. Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом. The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given. 2012 Article Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899 621.382.2 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
Стороженко, И.П.
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
Радіофізика та електроніка
description Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом.
format Article
author Стороженко, И.П.
author_facet Стороженко, И.П.
author_sort Стороженко, И.П.
title Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_short Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_full Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_fullStr Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_full_unstemmed Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
title_sort резонансные частоты диодов ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899
citation_txt Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT storoženkoip rezonansnyečastotydiodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovyhnitridov
first_indexed 2023-10-18T20:11:40Z
last_indexed 2023-10-18T20:11:40Z
_version_ 1796149221548621824