Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105969 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-105969 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1059692016-09-14T03:02:33Z Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Вакуумная и твердотельная электроника В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду. У даному дослідженні розглядаються електронні процеси в діодах з РТМ на основі GaAs, за умови, що РТМ обмежена по протяжності. Визначаються залежності активної і реактивної складових імпедансу планарного діоду з РТМ для реальних параметрів діодів. Показано, що частотні можливості діоду з РТМ істотно залежать від місця розташування межі і ефективність генерації та частотний діапазон зменшуються при переміщенні РТМ до аноду. In this study electronic processes in diodes with a resonant tunneling boundary based on GaAs are considered, provided that the resonant tunneling is limited by the length of the boundary. Dependences of the active and reactive components of the impedance of a planar diode with resonant tunneling boundaries for the real diode parameters are determined. It is shown that the frequency possibilities of the diode with resonant tunneling boundaries depend strongly on the location of the boundary. It is shown that the efficiency of generation and the frequency range are reduced by moving the resonant-tunneling boundary to the anode. 2013 Article Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105969 621.382.2 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника |
| spellingShingle |
Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs Радіофізика та електроніка |
| description |
В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду. |
| format |
Article |
| author |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| author_facet |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| author_sort |
Прохоров, Э.Д. |
| title |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_short |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_full |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_fullStr |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_full_unstemmed |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_sort |
импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе gaas |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105969 |
| citation_txt |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Радіофізика та електроніка |
| work_keys_str_mv |
AT prohorovéd impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnojgranicejnaosnovegaas AT boculaov impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnojgranicejnaosnovegaas AT reutinaoa impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnojgranicejnaosnovegaas |
| first_indexed |
2023-10-18T20:11:50Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:11:50Z |
| _version_ |
1796149228994560000 |