Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105969 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |