Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией
В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое ср...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105997 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-105997 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1059972016-09-15T03:02:33Z Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. Вакуумная и твердотельная электроника В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода. У даній роботі вперше запропоновано та досліджено діод на основі однобар’єрної наноструктури з нерезонансним тунелюванням електронів та їх подальшим дрейфом в пролітному шарі. Дослідження проводились в рамках моделі малосигнального імпедансу з урахуванням часу затримки інжекції електрона, який можна порівняти з його часом прольоту для даного діода. In this work for the first time the diode on the base of single-barrier nanostructure with non-resonance electron tunneling and subsequent drift in transit layer has been investigated. The research was conducted in the framework of impedance small-signal model with considering delay time of electron injection, which is comparable with electron transit time of the diode. 2013 Article Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105997 621.382.2.029.64 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника |
| spellingShingle |
Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией Радіофізика та електроніка |
| description |
В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода. |
| format |
Article |
| author |
Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. |
| author_facet |
Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. |
| author_sort |
Гончарук, Н.М. |
| title |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_short |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_full |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_fullStr |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_full_unstemmed |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_sort |
нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105997 |
| citation_txt |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Радіофізика та електроніка |
| work_keys_str_mv |
AT gončaruknm nitridgallievyjdiodstunnelʹnojinžekciej AT karuškinnf nitridgallievyjdiodstunnelʹnojinžekciej AT malyškovv nitridgallievyjdiodstunnelʹnojinžekciej AT orehovskijva nitridgallievyjdiodstunnelʹnojinžekciej |
| first_indexed |
2023-10-18T20:11:54Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:11:54Z |
| _version_ |
1796149231990341632 |