Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN....
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | Стороженко, И.П., Ярошенко, А.Н., Аркуша, Ю.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2014
|
Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106070 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012) -
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013) -
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2016) -
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007) -
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2007)