Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN

В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2014
Hauptverfasser: Стороженко, И.П., Ярошенко, А.Н., Аркуша, Ю.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2014
Schriftenreihe:Радіофізика та електроніка
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106070
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine