Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей

В работе исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с туннельным анодом (ТА) и туннельной боковой границей (ТБГ) на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких часто...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Видавець:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:	2014
Автори:	Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Реутина, О.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2014
Назва видання:	Радіофізика та електроніка
Теми:	Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106109
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:	Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 3. — С. 71-75. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-106109
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1061092016-09-23T23:21:08Z Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Вакуумная и твердотельная электроника В работе исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с туннельным анодом (ТА) и туннельной боковой границей (ТБГ) на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких частотах, а также оценки частотного предела работы диодов. Исследование показало возможность генерации диодами с ТА и ТБГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц и возможность существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных структур и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации. У роботі досліджуються вольтамперні характеристики й ефективність генерації планарних діодів з тунельним анодом (ТА) і тунельною бічною межею (ТБМ) на основі GaAs з метою визначення впливу параметрів ТА і ТБМ на вольтамперні характеристики й ефективність генерації на низьких і високих частотах, а також оцінки частотної межі роботи діодів. Дослідження показало можливість генерації діодами з ТА і ТБМ в діапазоні десятки-сотні гігагерців та можливість існування двох ділянок негативної диференціальної провідності та двох зон генерації по напрузі. Результати досліджень дозволили визначити основні властивості діодних структур, що були запропоновані, і є орієнтиром для подальшого детального аналізу фізичних процесів в них та практичній реалізації. The current-voltage characteristics and generation efficiency of GaAs-based diode were investigated. The researches aim is the determination of tunnel anode and tunnel boundary parameters on a diode’s characteristics in low and higher frequencies and a frequency limit estimating. The generating ability of diodes with tunnel anode and tunnel boundary in the range from tens to hundreds of GHz and the possible existence of two voltage regions with NDC and generation have been shown. The oscillation efficiency is 10–15 % on low frequency and percent share on frequencies is more than 100 GHz. The main properties of the proposed structures are determined and can be used for further detailed analysis of the physical processes of the structures and manufacturing. 2014 Article Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 3. — С. 71-75. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106109 621.382.2 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle	Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей Радіофізика та електроніка
description	В работе исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с туннельным анодом (ТА) и туннельной боковой границей (ТБГ) на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких частотах, а также оценки частотного предела работы диодов. Исследование показало возможность генерации диодами с ТА и ТБГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц и возможность существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных структур и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации.
format	Article
author	Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А.
author_facet	Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А.
author_sort	Прохоров, Э.Д.
title	Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
title_short	Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
title_full	Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
title_fullStr	Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
title_full_unstemmed	Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
title_sort	эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate	2014
topic_facet	Вакуумная и твердотельная электроника
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106109
citation_txt	Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 3. — С. 71-75. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series	Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv	AT prohorovéd éffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodastunnelʹnymanodomitunnelʹnojbokovojgranicej AT boculaov éffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodastunnelʹnymanodomitunnelʹnojbokovojgranicej AT reutinaoa éffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodastunnelʹnymanodomitunnelʹnojbokovojgranicej
first_indexed	2023-10-18T20:12:11Z
last_indexed	2023-10-18T20:12:11Z
_version_	1796149243891679232

Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей

Репозиторії

Схожі ресурси