Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
В работе исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с туннельным анодом (ТА) и туннельной боковой границей (ТБГ) на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких часто...
Збережено в:
Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
---|---|
Дата: | 2014 |
Автори: | Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Реутина, О.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2014
|
Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106109 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 3. — С. 71-75. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2013) -
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010) -
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012) -
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013) -
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2007)