Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
В статье проводится анализ процесса формирования статического домена и лавинного умножения тока в нем на основе двухтемпературной модели варизонного AlGaAs.
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автор: | Стороженко, И.П. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2015
|
Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106244 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2015. — Т. 6(20), № 3. — С. 90-95. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2007) -
Роль рассеяния электронов на нейтральных примесях и сплавном потенциале в формировании волн пространственного заряда в приборах с междолинным переносом электронов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2008) -
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2016) -
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007) -
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)