Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации

• Дата: 2014
• Автори: Штапенко, Э.Ф., Заблудовский, В.А., Дудкина, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Назва видання: Металлофизика и новейшие технологии
• Теми: Металлические поверхности и плёнки
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106871
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации / Э.Ф. Штапенко, В.А. Заблудовский, В.В. Дудкина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 1. — С. 39-48. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Рассмотрено образование переходного диффузионного слоя «покрытие—подложка» при электрокристаллизации. Результаты микрорентгено-спектрального анализа показали, что толщина диффузионного слоя при электроосаждении никеля на медной подложке составила 1,5—3 мкм при изменении катодного потенциала от 0,1 до 0,3 В, а при электроосаждении цинка на медной подложке – 0,5—2 мкм при изменении потенциала от 0,2 до 0,4 В. В рамках модели несовпадающих сфер в теории упругости рассчитаны энергии, необходимые для встраивания адсорбированных атомов никеля и цинка в кристаллическую решётку медной подложки. Показано, что для систем, образующих твёрдые растворы Ni—Cu и Zn—Cu, энергии, необходимые для встраивания атомов никеля или цинка в кристаллическую решётку медной подложки, являются достаточными, но недостаточными для встраивания атомов в кристаллическую решётку вольфрамовой подложки, что подтверждается результатами микрорентгеноспектрального анализа.