Термовольтаический эффект в гетероструктуре на основе SmS под давлением
Рассмотрен термовольтаический эффект в объемной гетероструктуре на основе сульфида самария (SmS) с составом Sm1–xEuxS (0 ≤ x ≤ 1). Измерения произведены при температурах 300–450 K и давлениях до 500 MPa. Установлено, что величина эффекта уменьшается при воздействии давления. Влияние давления объясня...
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | Каминский, В.В., Степанов, Н.Н., Соловьев, С.М. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2015
|
Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/107400 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Термовольтаический эффект в гетероструктуре на основе SmS под давлением / В.В. Каминский, Н.Н. Степанов, С.М. Соловьев // Физика и техника высоких давлений. — 2015. — Т. 25, № 3-4. — С. 74-81. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique
за авторством: Volodin, N.M., та інші
Опубліковано: (1999) -
Теплоемкость ГЦК-Kr под давлением
за авторством: Троицкая, Е.П., та інші
Опубліковано: (2008) -
Теплоемкость ГЦК-Хе под давлением
за авторством: Троицкая, Е.П., та інші
Опубліковано: (2007) -
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
за авторством: Отажонов, С.М.
Опубліковано: (2004) -
Теплоемкость ГЦК-Ar под давлением
за авторством: Троицкая, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)