Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой

• Видавець: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
• Дата: 2007
• Автори: Шуба, Л.П., Кириченко, М.В., Копач, В.Р., Антонова, В.А., Листратенко, А.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
• Теми: Вакуумная и твердотельная электроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10774
• Цитувати: Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацией бора и фосфора 1020 см-3 соответственно образованы согласно технологии, используемой в серийном производстве отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Плотность фототока JФ, выходные и диодные параметры ФЭП определялись по нагрузочным световым вольт-амперным характеристикам, измеренным при 25 оС в условиях заатмосферного солнечного излучения (режим АМ0 - атмосферная масса равна нулю). Обнаруженное значение JФ = 48,6 мА/см2 является рекордным для отечественных монокристаллических Si-ФЭП, что обусловливает целесообразность разработки серийных Si-ФЭП с p-i-n структурой. Изучено влияние слабоконцентрированного излучения на эффективность работы ФЭП такого типа. Обоснованы предложения по усовершенствованию конструкции Si-ФЭП с p-i-n структурой, обеспечивающему увеличение их КПД до 20%.