Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой

Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацие...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Видавець:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:	2007
Автори:	Шуба, Л.П., Кириченко, М.В., Копач, В.Р., Антонова, В.А., Листратенко, А.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Теми:	Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10774
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:	Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-10774
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-107742010-08-09T12:06:03Z Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. Вакуумная и твердотельная электроника Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацией бора и фосфора 1020 см-3 соответственно образованы согласно технологии, используемой в серийном производстве отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Плотность фототока JФ, выходные и диодные параметры ФЭП определялись по нагрузочным световым вольт-амперным характеристикам, измеренным при 25 оС в условиях заатмосферного солнечного излучения (режим АМ0 - атмосферная масса равна нулю). Обнаруженное значение JФ = 48,6 мА/см2 является рекордным для отечественных монокристаллических Si-ФЭП, что обусловливает целесообразность разработки серийных Si-ФЭП с p-i-n структурой. Изучено влияние слабоконцентрированного излучения на эффективность работы ФЭП такого типа. Обоснованы предложения по усовершенствованию конструкции Si-ФЭП с p-i-n структурой, обеспечивающему увеличение их КПД до 20%. Виготовлені та досліджені тестові зразки фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) з p-i-n структурою на основі дуже слабо легованих фосфором кристалів кремнію i(n-)-типу провідності товщиною близько 300 мкм з питомим опором 4000 Омсм. Шари р- та n-типу товщиною 1,5 мкм з концентрацією бору та фосфору 1020 см-3 відповідно сформовані згідно до технології, що використовується при серійному виробництві вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. Густина фотоструму JФ, вихідні та діодні параметри ФЕП визначалися за навантажувальними світ-ловими вольт-амперними характеристиками, виміряними при 25оС в умовах заатмосферного сонячного опромінення (режим АМ0 - атмосферна маса дорівнює нулю). Виявлене значення JФ = 48,6 мА/см2 є рекордним для вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП, що обумовлює доцільність розробки серійних Si-ФЕП з p-i-n структурою. Вивчено вплив слабоконцентрованого опромінення на ефективність роботи ФЕП такого типу. Обґрунтовано пропозиції по вдосконаленню конструкції Si-ФЕП з p-i-n структурою, що забезпечує збільшення їх ККД до 20%. Test samples of solar cells (SC) with p-i-n structure on the basis of very poorly phosphorus doped silicon crystals of i (n-)-type conductivity by thickness about 300 ?m with resistivity of 4000 Ohm cm were manufactured and investigated. The р- and n-type layers by thickness 1,5 ?m with boron and phosphorus concentration ~ 1020 cm-3 were prepared according to technology used in serial production of Ukrainian monocrystalline Si-SC. Photocurrent density JP, output and diode parameters of SC were determined from the loading illuminated current-voltage characteristics measured at 25оС and in conditions of extratmospheric solar radiation (АМ0 regime – air mass equals zero). The found out value JP = 48,6 mА/cm2 is the record for Ukrainian monocrystalline Si-SC that causes the expediency of serial Si-SC development with p-i-n structure. The influence of weakly concentrated radiation on the efficiency of such type SC was investigated. The proposals on improvement of Si-SC design with p-i-n structure ensuring their efficiency increasing up to 20% were grounded. 2007 Article Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10774 539.2:648.75 ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle	Вакуумная и твердотельная электроника Вакуумная и твердотельная электроника Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
description	Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацией бора и фосфора 1020 см-3 соответственно образованы согласно технологии, используемой в серийном производстве отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Плотность фототока JФ, выходные и диодные параметры ФЭП определялись по нагрузочным световым вольт-амперным характеристикам, измеренным при 25 оС в условиях заатмосферного солнечного излучения (режим АМ0 - атмосферная масса равна нулю). Обнаруженное значение JФ = 48,6 мА/см2 является рекордным для отечественных монокристаллических Si-ФЭП, что обусловливает целесообразность разработки серийных Si-ФЭП с p-i-n структурой. Изучено влияние слабоконцентрированного излучения на эффективность работы ФЭП такого типа. Обоснованы предложения по усовершенствованию конструкции Si-ФЭП с p-i-n структурой, обеспечивающему увеличение их КПД до 20%.
format	Article
author	Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М.
author_facet	Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М.
author_sort	Шуба, Л.П.
title	Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
title_short	Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
title_full	Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
title_fullStr	Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
title_full_unstemmed	Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
title_sort	исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate	2007
topic_facet	Вакуумная и твердотельная электроника
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10774
citation_txt	Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT šubalp issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovatelejsbazovojpinstrukturoj AT kiričenkomv issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovatelejsbazovojpinstrukturoj AT kopačvr issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovatelejsbazovojpinstrukturoj AT antonovava issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovatelejsbazovojpinstrukturoj AT listratenkoam issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovatelejsbazovojpinstrukturoj
first_indexed	2023-10-18T16:45:21Z
last_indexed	2023-10-18T16:45:21Z
_version_	1796139798531932160

Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой

Репозиторії

Схожі ресурси