Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Кириченко, М.В., Зайцев, Р.В., Дейнеко, Н.В., Копач, В.Р., Антонова, В.А., Листратенко, А.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Теми:
Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10815
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-10815
record_format dspace
spelling irk-123456789-108152010-08-09T12:06:08Z Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Дейнеко, Н.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. Вакуумная и твердотельная электроника Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values. 2007 Article Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10815 539.2:648.75 ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
Кириченко, М.В.
Зайцев, Р.В.
Дейнеко, Н.В.
Копач, В.Р.
Антонова, В.А.
Листратенко, А.М.
Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
description Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.
format Article
author Кириченко, М.В.
Зайцев, Р.В.
Дейнеко, Н.В.
Копач, В.Р.
Антонова, В.А.
Листратенко, А.М.
author_facet Кириченко, М.В.
Зайцев, Р.В.
Дейнеко, Н.В.
Копач, В.Р.
Антонова, В.А.
Листратенко, А.М.
author_sort Кириченко, М.В.
title Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_short Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_full Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_fullStr Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_full_unstemmed Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_sort влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2007
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10815
citation_txt Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kiričenkomv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovatelejnaparametryneosnovnyhnositelejzarâdavihbazovyhkristallah
AT zajcevrv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovatelejnaparametryneosnovnyhnositelejzarâdavihbazovyhkristallah
AT dejnekonv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovatelejnaparametryneosnovnyhnositelejzarâdavihbazovyhkristallah
AT kopačvr vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovatelejnaparametryneosnovnyhnositelejzarâdavihbazovyhkristallah
AT antonovava vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovatelejnaparametryneosnovnyhnositelejzarâdavihbazovyhkristallah
AT listratenkoam vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovatelejnaparametryneosnovnyhnositelejzarâdavihbazovyhkristallah
first_indexed 2023-10-18T16:45:28Z
last_indexed 2023-10-18T16:45:28Z
_version_ 1796139802904494080

Схожі ресурси