Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10815 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |