Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) с n+-n катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе пространственно-однородных по составу полупроводников. Сделано обобщение тройных вар...
Збережено в:
Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
---|---|
Дата: | 2007 |
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10841 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 243-249. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) с n+-n
катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе пространственно-однородных по составу полупроводников. Сделано обобщение тройных варизонных полупроводников А3В5. |
---|