Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду
Досліджено вплив товщини чистих і легованих бісмутом плівкок станум телуриду, осадженого на свіжих сколах (0001) слюди мусковіт на їх наноструктуру і механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання на поверхні і міжзеренних межах, відносний внесок яких визнач...
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108482 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, І.І. Чав’як, В.І. Маковишин, І.А. Арсенюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 405-411. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Досліджено вплив товщини чистих і легованих бісмутом плівкок станум телуриду, осадженого на свіжих сколах (0001) слюди мусковіт на їх наноструктуру і механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання на поверхні і міжзеренних межах, відносний внесок яких визначається вмістом легуючої домішки. Запропоновано кристалохімічні механізми легування, пов’язані із розміщенням атомів вісмуту в катіонних структурах. |
---|