Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Дяденчук, А.Ф., Кидалов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108493
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-108493
record_format dspace
spelling irk-123456789-1084932016-11-06T03:02:38Z Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления Дяденчук, А.Ф. Кидалов, В.В. В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе. У даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі. In this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM. 2014 Article Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108493 539.217; 544.723 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.
format Article
author Дяденчук, А.Ф.
Кидалов, В.В.
spellingShingle Дяденчук, А.Ф.
Кидалов, В.В.
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
Физическая инженерия поверхности
author_facet Дяденчук, А.Ф.
Кидалов, В.В.
author_sort Дяденчук, А.Ф.
title Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
title_short Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
title_full Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
title_fullStr Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
title_full_unstemmed Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
title_sort получение периодических слоев gaas методом электрохимического травления
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2014
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108493
citation_txt Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT dâdenčukaf polučenieperiodičeskihsloevgaasmetodomélektrohimičeskogotravleniâ
AT kidalovvv polučenieperiodičeskihsloevgaasmetodomélektrohimičeskogotravleniâ
first_indexed 2023-10-18T20:17:43Z
last_indexed 2023-10-18T20:17:43Z
_version_ 1796149482347298816