Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе....
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | Дяденчук, А.Ф., Кидалов, В.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108493 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005) -
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002) -
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007) -
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013) -
Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)