Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа....
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автор: | Сичікова, Я.О. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108497 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Теоретичне визначення потенціалу іон поверхневої взаємодії для багатошарових адсорбентів на основі кремнезему
за авторством: Горайчук, Т.В., та інші
Опубліковано: (2004) -
Гідратаційні ефекти та структура адсорбційних комплексів глюкози на поверхні кремнезему
за авторством: Цендра, О.М., та інші
Опубліковано: (2004) -
Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
за авторством: Кирилов, О.A., та інші
Опубліковано: (2004) -
Діелектрична спектроскопія суспензій бактерій E.соli: пряма і обернена задачі
за авторством: Шкода, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2004) -
Фотоіндуковані процеси переносу електрона за участю антрацену та N,N-диметиланіліну на поверхні ксерогелів титанокремнезему
за авторством: Старух, Г.М.
Опубліковано: (2003)