Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной каме...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108710 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-108710 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1087102016-11-15T03:02:58Z Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. У даній роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надмірно тонкою (3–20 мкм) газорозрядної осередку з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission. 2015 Article Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108710 621.393.3:621.382:621.385 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. |
| format |
Article |
| author |
Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. |
| spellingShingle |
Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. |
| author_sort |
Хайдаров, З. |
| title |
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_short |
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_full |
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_fullStr |
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_full_unstemmed |
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_sort |
фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108710 |
| citation_txt |
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT hajdarovz fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom AT ûldaševht fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom AT hajdarovbz fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom AT urmonovs fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom |
| first_indexed |
2023-10-18T20:18:15Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:18:15Z |
| _version_ |
1796149504809893888 |