2025-02-23T15:54:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108710%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:54:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108710%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:54:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:54:11-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной каме...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Хайдаров, З., Юлдашев, Х.Т., Хайдаров, Б.З., Урмонов, С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108710
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-108710
record_format dspace
spelling irk-123456789-1087102016-11-15T03:02:58Z Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. У даній роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надмірно тонкою (3–20 мкм) газорозрядної осередку з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission. 2015 Article Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108710 621.393.3:621.382:621.385 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия.
format Article
author Хайдаров, З.
Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, Б.З.
Урмонов, С.
spellingShingle Хайдаров, З.
Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, Б.З.
Урмонов, С.
Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
Физическая инженерия поверхности
author_facet Хайдаров, З.
Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, Б.З.
Урмонов, С.
author_sort Хайдаров, З.
title Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
title_short Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
title_full Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
title_fullStr Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
title_full_unstemmed Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
title_sort фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108710
citation_txt Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT hajdarovz fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom
AT ûldaševht fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom
AT hajdarovbz fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom
AT urmonovs fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom
first_indexed 2023-10-18T20:18:15Z
last_indexed 2023-10-18T20:18:15Z
_version_ 1796149504809893888

Similar Items