2025-02-24T02:18:19-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108713%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:18:19-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108713%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:18:19-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T02:18:19-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Сычикова, Я.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108713
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-108713
record_format dspace
spelling irk-123456789-1087132016-11-15T03:02:59Z Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 Сычикова, Я.А. В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровідників групи А3В5 при електрохімічній обробці. Механізм цього явища описаний з погляду когерентних явищ в стохастичних системах. The paper discusses the characteristics of cluster formation on the surface of semiconductors A3B5 in electrochemical processing. The mechanism of this phenomenon is described in terms of coherent phenomena in stochastic systems. 2015 Article Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108713 539.217; 544.723 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.
format Article
author Сычикова, Я.А.
spellingShingle Сычикова, Я.А.
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
Физическая инженерия поверхности
author_facet Сычикова, Я.А.
author_sort Сычикова, Я.А.
title Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
title_short Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
title_full Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
title_fullStr Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
title_full_unstemmed Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
title_sort модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы а3в5
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108713
citation_txt Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT syčikovaâa modelʹformirovaniâklasterovnapoverhnostipoluprovodnikovyhkristallovgruppya3v5
first_indexed 2023-10-18T20:18:16Z
last_indexed 2023-10-18T20:18:16Z
_version_ 1796149505130758144

Similar Items