СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники

В статье представлены результаты численного исследования высоколокального СВЧ разогрева тонких пленок полупроводников и диэлектриков на высокоомной подложке кремния. Сравнение с ранее опубликованными нами результатами исследования разогрева кремниевых подложек показывает, что в связи с высокой тепло...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	Гордиенко, Ю.Е., Пятайкина, М.И., Полищук, А.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108719
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники / Ю.Е. Гордиенко, М.И. Пятайкина, А.В. Полищук // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 209-217. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-108719
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1087192016-11-15T03:03:06Z СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники Гордиенко, Ю.Е. Пятайкина, М.И. Полищук, А.В. В статье представлены результаты численного исследования высоколокального СВЧ разогрева тонких пленок полупроводников и диэлектриков на высокоомной подложке кремния. Сравнение с ранее опубликованными нами результатами исследования разогрева кремниевых подложек показывает, что в связи с высокой теплопроводностью кремния влияние подложки на величину температуры разогреваемой пленки будет существенным при уменьшении толщины пленки. Влияние диэлектрической проницаемости пленки также имеет место и связано с изменением СВЧ тепловыделения в ней. С учетом зависимости локализации СВЧ поля от радиуса сферического острия процесс тепловыделения можно локализовать только в пленке, а величиной локального разогрева подложки управлять выбранной толщиной пленки. Это позволит раздельно формировать локальный разогрев пленки и подложки. У статті наведені результати чисельного дослідження високолокального НВЧ нагріву тонких напівпровідникових та діелектричних плівок на високоомній підкладці кремнію. Порівняння з нашими раніше опублікованими результатами дослідження розігріву кремнієвих підкладок показує, що у зв’язку з високою теплопровідністю кремнію вплив підкладки на величину температури плівки, що розігрівається, буде суттєвим при зменшенні товщини плівки. Вплив діелектричної проникності плівки також має місце і пов’язане зі зміною НВЧ тепловиділення в ній. Враховуючи залежність локалізації НВЧ поля від радіуса сферичного вістря процес тепловиділення можна локалізувати тільки в плівці, а величиною локального розігріву підкладки управляти обраною товщиною плівки. Це дозволить окремо формувати локальний розігрів плівки і підкладки. The article presents the results of a numerical research high resolution microwave heating of thin layers of semiconductors and dielectrics for high resistivity silicon substrate. Comparison with previously published our results of heating silicon substrates shows that due to the high thermal conductivity of silicon substrate influence on the magnitude of the temperature of the heated layer will be substantially with decreasing layer thickness. Influence permittivity of the layer also has place to be due with the change of the microwave heat there in. Taking into account weak localization of the microwave field depending on the radius of the spherical tip the process of heat can be localized only in the layer and can be control the selected film thickness by the magnitude of local heating of the substrate. This will enable separate form local heating of the layer and the substrate. 2015 Article СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники / Ю.Е. Гордиенко, М.И. Пятайкина, А.В. Полищук // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 209-217. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108719 621.385.833.2:620.3 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	В статье представлены результаты численного исследования высоколокального СВЧ разогрева тонких пленок полупроводников и диэлектриков на высокоомной подложке кремния. Сравнение с ранее опубликованными нами результатами исследования разогрева кремниевых подложек показывает, что в связи с высокой теплопроводностью кремния влияние подложки на величину температуры разогреваемой пленки будет существенным при уменьшении толщины пленки. Влияние диэлектрической проницаемости пленки также имеет место и связано с изменением СВЧ тепловыделения в ней. С учетом зависимости локализации СВЧ поля от радиуса сферического острия процесс тепловыделения можно локализовать только в пленке, а величиной локального разогрева подложки управлять выбранной толщиной пленки. Это позволит раздельно формировать локальный разогрев пленки и подложки.
format	Article
author	Гордиенко, Ю.Е. Пятайкина, М.И. Полищук, А.В.
spellingShingle	Гордиенко, Ю.Е. Пятайкина, М.И. Полищук, А.В. СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники Физическая инженерия поверхности
author_facet	Гордиенко, Ю.Е. Пятайкина, М.И. Полищук, А.В.
author_sort	Гордиенко, Ю.Е.
title	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники
title_short	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники
title_full	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники
title_fullStr	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники
title_full_unstemmed	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники
title_sort	свч высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2015
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108719
citation_txt	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники / Ю.Е. Гордиенко, М.И. Пятайкина, А.В. Полищук // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 209-217. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT gordienkoûe svčvysokolokalʹnyjskaniruûŝijrazogrevvtehnologiimikroinanoélektroniki AT pâtajkinami svčvysokolokalʹnyjskaniruûŝijrazogrevvtehnologiimikroinanoélektroniki AT poliŝukav svčvysokolokalʹnyjskaniruûŝijrazogrevvtehnologiimikroinanoélektroniki
first_indexed	2023-10-18T20:18:17Z
last_indexed	2023-10-18T20:18:17Z
_version_	1796149505770389504

СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники

Репозитарії

Схожі ресурси